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SI4411DY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4411DY-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.5W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： DC DC ConVE-JWF-MW-S 矩形H3AAH-2618G 圆形MS3102E20-23PW LED 电源LXV300-036S 拨动开关MTL106E04 LED - 电路板ELM53503GDL DIPADE02SA D-SubMDM-51PH023K 矩形- 接头，公引68760-136HLF 光学 - 光断续器EE-SX4009-P1 |
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